Jede Fehlstelle in der kristallinen Struktur eines Silizium-Wafers steigert das Risiko für geringere Wirkungsgrade oder fehlerhafte Schaltprozesse. Wer versteht, wie sich Siliziumatome auf einer dünnen Oberfläche zu einem Gitter anordnen, gewinnt grundlegende Erkenntnisse für die Kontrolle des Kristallwachstums. Ein internationales Forschungsteam analysierte dazu das Verhalten von Silizium, das schockartig abgekühlt wird. Die Ergebnisse zeigen, dass die Geschwindigkeit des Abkühlens einen großen Einfluss auf die Struktur von Siliziumoberflächen hat. Der zugrundeliegende Mechanismus trat vermutlich auch in Phasenübergängen im frühen Universum kurz nach dem Urknall auf.
Quelle: IDW-Informaitionsdienst d. Wissenschaft
