Halbleiter-Technologie für Breitband-Satellitenkommunikation erreicht Rekord-Effizienz

Forschende des Fraunhofer IAF haben eine GaN-Transistor-Technologie mit 70 nm Gatelänge entwickelt, die unter satellitentypischen Bedingungen Rekordwerte hinsichtlich der Effizienz erreicht. Die Technologie soll zukünftig kompakte Aktivantennen für hochbitratige Datentransfers im Ka-, Q- und W-Band ermöglichen und somit zum Auf- und Ausbau lückenloser und resilienter globaler Kommunikationsnetze durch High-Throughput-Satelliten beitragen. Diese und weitere Forschungsergebnisse aus dem Bereich Hochfrequenzelektronik stellt das Fraunhofer IAF vom 21. bis 26. September 2025 auf der EuMW in Utrecht vor.
Quelle: IDW-Informaitionsdienst d. Wissenschaft